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参数资料
| 型号： | TMS29F800T-100CDBJL |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| 中文描述： | 1048576 8位/ 524288由16位闪存 |
| 文件页数： | 28/51页 |
| 文件大小： | 685K |
| 代理商： | TMS29F800T-100CDBJL |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
T
1
F
S
T
2
P
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature, controlled by CE
PARAMETER
ALTERNATE
SYMBOL
’29F800-80
MIN
’29F800-90
MIN
’29F800-100
MIN
’29F800-120
MIN
UNIT
TYP
MAX
TYP
MAX
TYP
MAX
TYP
MAX
tc(W)
tsu(A)
th(A)
tsu(D)
th(D)
tsu(W)
th(W)
tw(EL)
tw(EH)
trec(R)
Cycle time, write
tAVAV
tAVE
L
tELAX
tDVEH
tEHDX
tWLEL
tEHWH
tELEH1
tEHEL
tGHEL
tGLEL
tEHGL1
tEHGL2
80
90
100
120
ns
Setup time, address
0
0
0
0
ns
Hold time, address
45
50
50
65
ns
Setup time, data
45
50
50
65
ns
Hold time, data
0
0
0
0
ns
Setup time, WE
0
0
0
0
ns
Hold time, WE
0
0
0
0
ns
Pulse duration, CE low
45
50
50
65
ns
Pulse duration, CE high
20
30
30
35
ns
Recovery time, read before write
0
0
0
0
ns
Setup time, OE
0
0
0
0
ns
th(C)
Hold time, OE read
0
0
0
0
ns
Hold time, OE toggle, data
10
10
10
10
ns
μ
s
μ
s
s
Programming operation
Byte
tEHEH1
8
8
8
8
Word
14
14
14
14
Cycle time, sector-erase operation
tEHEH2
tEHEH3
tFLQZ
1
1
1
1
Cycle time, chip-erase operation
6
50
6
50
6
50
6
50
s
BYTE switching low to output 3-state
30
30
40
40
ns
PRODUCT PREVIEW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS29F800T-100CDBJQ | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
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| TMS29F800T-100CDCDL | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3120; Number of Contacts:61; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle |
| TMS29F800T-100CDCDQ | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
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