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参数资料
| 型号： | TN1215-600G-TR |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | PT 34C 34#20 SKT RECP |
| 中文描述： | 敏感 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | TN1215-600G-TR |
TN12, TS12 and TYNx12 Series
4/11
Figure 3: Average and D.C. on-state current
versus ambient temperature (device mounted
on FR4 with recommended pad layout) (DPAK)
Figure 4: Relative variation of thermal
impedance junction to case versus pulse
duration
Figure 5: Relative variation of thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration (recommended pad layout, FR4 PC
board for DPAK)
Figure 6:
Relative variation of gate trigger
current and holding current versus junction
temperature for TS8 series
Figure 7: Relative variation of gate trigger
current and holding current versus junction
temperature for TN8 & TYN08 series
Figure 8: Relative variation of holding current
versus
gate-cathode
values) for TS8 series
resistance
(typical
0
25
50
75
100
125
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
(A)
T(AV)
T
(°C)
amb
α
= 180°
D.C.
D PAK
2
DPAK
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.1
0.2
0.5
1.0
K=[Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
]
t (s)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.01
0.10
1.00
K=[Z
/R
th(j-a)
th(j-a)
]
t (s)
DPAK
TO-220AB / IPAK
D PAK
2
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T (°C)
I
GT H L
j
I
GT H L
j
I
GT
I
H
& I
= 1k
GK
R
L
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I
GT H L
j
I
GT H L
j
T (°C)
I
GT
I
H
& I
L
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
R
(k )
GK
I [R
] / I [
=1k ]
GK
R
GK
T
j
= 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN12 | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-1000B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-1000H-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600G | SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TN1215-600H | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1215-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-800B | 功能描述:SCR 12 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1215-800B-TR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| TN1215-800G | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:12 A, 800 V, SCR |
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