参数资料
型号: TN1215-600G
厂商: 意法半导体
英文描述: SCR
中文描述: 可控硅
文件页数: 8/11页
文件大小: 122K
代理商: TN1215-600G
TN12, TS12 and TYNx12 Series
8/11
Figure 20: D
2
PAK Package Mechanical Data
Figure 21: D
2
PAK Foot Print Dimensions
(in millimeters)
G
L
L3
L2
B
B2
E
2mm min.
FLAT ZONE
A
C2
D
R
A2
V2
C
A1
16.90
10.30
8.90
3.70
5.08
1.30
REF.
DIMENSIONS
Millimeters
Min.
Typ.
4.30
2.49
0.03
0.70
1.25
1.40
0.45
1.21
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
0.40
Inches
Typ.
Max.
4.60
2.69
0.23
0.93
Min.
0.169
0.098
0.001
0.027
0.048 0.055
0.017
0.047
0.352
Max.
0.181
0.106
0.009
0.037
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
L
L2
L3
R
V2
0.60
1.36
9.35
10.28 0.393
5.28
15.85 0.590
1.40
1.75
0.024
0.054
0.368
0.405
0.208
0.624
0.055
0.069
0.192
0.050
0.055
0.016
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PDF描述
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TN1215-600GTR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Thyristor SCR 600V 145A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
TN1215-600G-TR 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
TN1215-600H 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
TN1215-600H-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TN1215-800B 功能描述:SCR 12 Amp 800 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube