- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372456 > TN12 (意法半导体) SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TN12 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| 中文描述： | 敏感 |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | TN12 |
TN12, TS12 and TYNx12 Series
3/11
■
STANDARD
Table 6: Thermal resistance
Symbol
Test Conditions
TN1215
B / H
TYN
Unit
G
x12T
0.5
5
x12
2
15
I
GT
V
D
= 12 V R
L
= 33
MIN.
MAX.
2
15
mA
V
GT
V
GD
I
H
I
L
dV/dt
MAX.
1.3
V
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
I
T
= 500 mA Gate open
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 % V
DRM
Gate open T
j
=125°C
I
TM
= 24 A t
p
= 380 μs
Threshold voltage
T
j
= 125°C
MIN.
0.2
V
MAX.
40
30
15
30
mA
MAX.
80
60
30
60
mA
MIN.
200
40
200
V/μs
V
TM
V
t0
R
d
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
MAX.
1.6
V
MAX.
0.85
V
Dynamic resistance
MAX.
30
m
I
DRM
I
RRM
V
DRM
= V
RRM
MAX.
5
μA
2
mA
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case (DC)
1.3
°C/W
R
th(j-a)
Junction to ambient (DC)
S = 0.5 cm
2
DPAK
70
°C/W
S = 1 cm
2
D
2
PAK
45
IPAK
100
TO-220AB
60
S = Copper surface under tab.
Figure 1: Maximum average power dissipation
versus average on-state current
Figure 2: Average and D.C. on-state current
versus case temperature
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
P(W)
I
(A)
T(AV)
α
= 180°
360°
α
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
12
14
I
(A)
T(AV)
T
(°C)
case
α
= 180°
D.C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN1215-1000B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-1000H-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TN1215-600G | SCR |
| TN1215-600H | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TN12.29 | 制造商:TEKO 功能描述: 制造商:TEKO 功能描述:ENCLOSURE TEKNET BLACK/GREY 制造商:TEKO 功能描述:ENCLOSURE, TEKNET, BLACK/GREY |
| TN12.29-AL | 制造商:OKW ENCLOSURES INC 功能描述:ENCLOSURE, ABS, BLACK/GRAY, 6.102 X 3.78 X .953 |
| TN12_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Sensitive and Standard 12 A SCRS |
| TN1205H-6G | 功能描述:SCR 12A High Temp SCR 600V Vdrm 2 to 5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1205H-6G-TR | 功能描述:SCR High Temp 12A SCR 600V 2 to 5 mA IGT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。