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参数资料
| 型号： | TN1515-600B-TR |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 15 A standard SCR |
| 中文描述： | 15标准的可控硅 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | TN1515-600B-TR |
Characteristics
TN1515-600B
2/7
1
Characteristics
Electrical characteristics
(T
j
= 25° C, unless otherwise specified)
Test conditions
Thermal resistance
Maximum power dissipation
versus average on-state current
Table 4.
Symbol
Values
Unit
I
GT
V
out
= 12 V, R
L
= 33
Ω
T
j
= 25° C
MIN.
2
mA
MAX.
15
V
GT
V
out
= 12 V, R
L
= 33
Ω
MAX.
1.3
V
V
GD
V
out
= V
DRM,
R
L
= 33
Ω
T
j
= 125° C
MIN.
0.2
V
I
H
I
T
= 500 mA
MAX.
40
mA
I
L
I
G
= 1.2 I
GT
MAX.
60
mA
dV/dt
V
D
= 67% V
DRM,
gate open
T
j
= 125° C
MIN.
200
V/μs
V
TM
I
TM
= 30 A, t
p
= 380 μs
T
j
= 25° C
MAX.
1.6
V
V
TO
Threshold voltage
T
j
= 125° C
MAX.
0.85
V
R
D
Dynamic resistance
T
j
= 125° C
MAX.
25
m
Ω
I
DRM
V
DRM
= V
RRM
T
j
= 25° C
MAX.
5
μA
I
RRM
T
j
= 125° C
2
mA
Table 5.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case (DC)
1.2
°C/W
R
th(j-a)
Junction to ambient
S = 0.5 cm
2
70
°C/W
Figure 1.
Figure 2.
Average and DC on-state current
versus case temperature
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P(W)
α
=180°
360°
I
(A)
T(AV)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
α
=180°
D.C.
TC(°C)
I
(A)
T(AV)
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PDF描述 |
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