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参数资料
| 型号： | TN1625-1000G |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16A SCRs |
| 中文描述： | 16A条可控硅 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | TN1625-1000G |
TN16 and TYNx16 Series
4/7
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2-1:
Average and D.C. on-state current
versus case temperature.
Fig. 2-2:
Average and D.C. on-state current
versus ambient temperature (copper surface
under tab: S = 1 cm2 (for D2PAK).
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature.
Fig. 5:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
P(W)
α
= 180°
IT(av)(A)
360°
α
0
25
50
75
100
125
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
IT(av)(A)
D.C.
α
=180°
Tcase(°C)
0
25
50
75
100
125
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
IT(av)(A)
D.C.
α
= 180°
Tamb(°C)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.10
1.00
K = [Zth/Rth]
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IGT,IH,IL [Tj] / IGR,IH,IL [Tj = 25 °C]
IGT
IH & IL
Tj(°C)
1
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
ITSM(A)
Non repetitive
TRepetitive
Number of cycles
One cycle
tp = 10ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN1625-600G | 16A SCRs |
| TN1625-800G | 16A SCRs |
| TN1625-G | SCR |
| TN1625-xxxG | 16A SCRs |
| TN1625x00G | 16A SCRs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TN1625-1000G-TR | 功能描述:SCR 16 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1625-600G | 功能描述:SCR 16 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1625-600G-TR | 功能描述:SCR 16A SCRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TN1625-800G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SCR |
| TN1625-800G-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16A SCRs |
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