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参数资料
| 型号： | TP3067WM/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE ENHANCED SER 20SOIC |
| 标准包装： | 36 |
| 类型： | PCM 编解码器/滤波器 |
| 数据接口： | 串行 |
| 分辨率（位）： | 8 b |
| ADC / DAC 数量： | 1 / 1 |
| 三角积分调变： | 无 |
| 电压 - 电源，模拟： | ±5V |
| 电压 - 电源，数字： | ±5V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *TP3067WM *TP3067WM/NOPB TP3067WM |
Absolute Maximum Ratings
If MilitaryAerospace specified devices are required
please contact the National Semiconductor Sales
OfficeDistributors for availability and specifications
VCC to GNDA
7V
VBB to GNDA
b
7V
Voltage at any Analog Input
or Output
VCCa03V to VBBb03V
Voltage at any Digital Input
or Output
VCCa03V to GNDAb03V
Operating Temperature Range
b
25 Cto a125 C
Storage Temperature Range
b
65 Cto a150 C
Lead Temp (Soldering 10 sec)
300 C
ESD (Human Body Model) J
1000V
ESD (Human Body Model) N
1500V
Latch-Up Immunity
100 mA on Any Pin
Electrical Characteristics Unless otherwise noted limits printed in BOLD characters are guaranteed for VCC e
a
50V g5% VBB eb50V g5% TA e 0 Cto70 C by correlation with 100% electrical testing at TA e 25 C All other limits
are assured by correlation with other production tests andor product design and characterization All signals referenced to
GNDA Typicals specified at VCC ea50V VBB eb50V TA e 25 C
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
POWER DISSIPATION (ALL DEVICES)
ICC0
Power-Down Current
(Note)
05
15
mA
IBB0
Power-Down Current
(Note)
005
03
mA
ICC1
Active Current
VPIe0V VFRO VPOa and VPOb unloaded
70
100
mA
IBB1
Active Current
VPIe0V VFRO VPOa and VPOb unloaded
70
100
mA
DIGITAL INTERFACE
VIL
Input Low Voltage
06
V
VIH
Input High Voltage
22
V
VOL
Output Low Voltage
DX ILe32 mA
04
V
TSX ILe32 mA Open Drain
04
V
VOH
Output High Voltage
DX IHeb32 mA
24
V
IIL
Input Low Current
GNDAsVINsVIL All Digital Inputs
b
10
m
A
IIH
Input High Current
VIHsVINsVCC
b
10
m
A
IOZ
Output Current in High Impedance
DX GNDAsVOsVCC
b
10
m
A
State (TRI-STATE)
Note
ICC0 and IBB0 are measured after first achieving a power-up state
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TP3054WM-X/NOPB | IC INTERFACE ENHANCED SER 16SOIC |
| VI-26B-CU | CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W |
| VI-263-CU | CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W |
| VI-261-CU | CONVERTER MOD DC/DC 12V 200W |
| VI-24X-CU | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TP30-68 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:TRISILTM |
| TP3068J | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:u-Law CODEC |
| TP3068N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:u-Law CODEC |
| TP30-68RL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRISIL |
| TP3068V | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:u-Law CODEC |
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