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参数资料
| 型号： | TPS54478EVM-037 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 3/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL MODULE FOR TPS54478-037 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 1.8V |
| 电流 - 输出： | 4A |
| 输入电压： | 2.95 ~ 6 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 2MHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | TPS54478 |
| 其它名称： | 296-31203 TPS54478EVM-037-ND |
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THERMAL INFORMATION
TPS54478
SLVSAS2 – JUNE 2011
THERMAL METRIC (1) (2) (3)
(RTE)
(QFN-16) PINS
UNITS
θ JA
ψ JT
Junction-to-ambient thermal resistance
Junction-to-top characterization parameter
49.1
0.7
ψ JB
θ JC(top)
θ JC(bottom)
θ JB
Junction-to-board characterization parameter
Junction-to-case(top) thermal resistance
Junction-to-case(bottom) thermal resistance
Junction-to-board thermal resistance
21.8
50.7
7.5
21.8
° C/W
(1)
(2)
(3)
For more information about traditional and new thermal metrics, see the IC Package Thermal Metrics application report, SPRA953 .
Maximum power dissipation may be limited by overcurrent protection
Power rating at a specific ambient temperature TA should be determined with a junction temperature of 150 ° C. This is the point where
distortion starts to substantially increase. Thermal management of the PCB should strive to keep the junction temperature at or below
150 ° C for best performance and long-term reliability. See power dissipation estimate in application section of this data sheet for more
information.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T J = – 40 ° C to 150 ° C, VIN = 2.95 to 6 V (unless otherwise noted)
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
SUPPLY VOLTAGE (VIN PIN)
Operating input voltage
Input under voltage lockout threshold
No voltage hysteresis
2.95
2.6
6.0
V
V
Shutdown supply current
Quiescent Current - I q
EN = 0 V, 25 ° C, 2.95 V ≤ VIN ≤ 6 V
VSENSE = 0.7 V, VIN = 5 V, 25 ° C, RT = 78.7 k ?
0.7
525
2.5
700
μ A
μ A
ENABLE AND UVLO (EN PIN)
Enable threshold
Input current
Rising
Falling
Enable threshold + 50 mV
Enable threshold – 50 mV
1.30
1.21
– 3.4
– 0.64
V
μ A
VOLTAGE REFERENCE (VSENSE PIN)
Voltage Reference
2.95 V ≤ VIN ≤ 6 V, – 40 ° C < T J < 150 ° C
0.594
0.600
0.606
V
MOSFET
High side switch resistance
Low side switch resistance
BOOT-PH = 5 V
BOOT-PH = 3.3 V
VIN = 5 V
VIN = 3.3 V
30
37
30
37
60
70
60
70
m ?
m ?
ERROR AMPLIFIER
Input current
7
nA
Error amplifier transconductance (gm)
Error amplifier transconductance (gm) during
slow start
Error amplifier source/sink
COMP to Iswitch gm
Copyright ? 2011, Texas Instruments Incorporated
– 2 μ A < I (COMP) < 2 μ A, V (COMP ) = 1 V
– 2 μ A < I (COMP) < 2 μ A, V (COMP) = 1 V,
Vsense = 0.4 V
V (COMP) = 1 V, 100 mV overdrive
225
77
± 20
14
μ mhos
μ mhos
μ A
A/V
3
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PDF描述 |
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| TH3D336M020D0600 | CAP TANT 33UF 20V 20% 2917 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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