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参数资料
型号： TS1220-600H-TR
厂商： 意法半导体
英文描述： SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
中文描述： 敏感
文件页数： 7/11页
文件大小： 122K
代理商： TS1220-600H-TR
TN12, TS12 and TYNx12 Series
7/11
Table 7: Product Selector
Figure 18: DPAK Package Mechanical Data
Figure 19: DPAK Foot Print Dimensions
(in millimeters)
Part Numbers
Voltage (xxx)
700 V
Sensitivity
Package
600 V
X
800 V
X
1000 V
TN1215-xxxB
15 mA
DPAK
TN1215-xxxG
X
X
X
15 mA
D
2
PAK
IPAK
DPAK
IPAK
TO-220AB
TO-220AB
TN1215-xxxH
TS1220-xxxB
TS1220-xxxH
TYNx12
TYNx12T
X
X
X
X
X
X
15 mA
0.2 mA
0.2 mA
15 mA
5 mA
X
X
X
X
X
X
H
L4
G
B
L2
E
B2
D
A1
R
R
C
A
C2
0.60 MIN.
V2
A2
6.7
6.7
3
3
1.6
1.6
2.3
2.3
REF.
DIMENSIONS
Millimeters
Min.
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.80 typ.
0.60
0°
Inches
Max
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
Min.
0.086
0.035
0.001
0.025
0.204
0.017
0.018
0.236
0.251
0.173
0.368
Max.
0.094
0.043
0.009
0.035
0.212
0.023
0.023
0.244
0.259
0.181
0.397
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
0.031 typ.
0.023
0°
1.00
8°
0.039
8°
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PDF描述
TS1220-700B SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TS1220-700B-TR SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
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TS1220-700H-TR SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
TS13001 High Voltage NPN Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
TS1220-600T 功能描述:SCR 12A SCR 2 to 5mA IGT-Calibrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
TS1220-700B 功能描述:SCR THYRISTOR TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
TS1220-700B-TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs)
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