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参数资料
| 型号： | TS13003BCTB0 |
| 厂商： | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
| 英文描述： | High Voltage NPN Transistor |
| 中文描述： | 高压NPN晶体管 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | TS13003BCTB0 |
TS13003B
3-3
2005/01 rev. A
TO-92 Mechanical Drawing
C
D
A
B
H
E
F
G
TO-92 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
4.30
4.70
4.30
4.70
14.30(typ)
0.43
0.49
2.19
2.81
3.30
3.70
2.42
2.66
0.37
0.43
INCHES
MIN
0.169
0.169
0.563(typ)
0.017
0.086
0.130
0.095
0.015
DIM
MAX
0.185
0.185
A
B
C
D
E
F
G
H
0.019
0.111
0.146
0.105
0.017
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS13003HV | High Voltage NPN Transistor |
| TS13003 | High Voltage NPN Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TS13003CT | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 700V 1.5A High Voltage/Speed RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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