参数资料
| 型号： | TSC87251G2D-L16CER |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 59/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | 8x251 |
| 核心处理器： | C251 |
| 芯体尺寸： | 8/16-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，I²C，Microwire，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-LQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | TSC87251G2DL16CER |
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AT/TSC8x251G2D
4135F–8051–11/06
Absolute Maximum Rating and Operating Conditions
Absolute Maximum Ratings
Storage Temperature ......................................... -65 to +150
°C
Voltage on any other Pin to VSS ........................ -0.5 to +6.5 V
IOL per I/O Pin ................................................................ 15 mA
Power Dissipation ........................................................... 1.5 W
Ambient Temperature Under Bias
Commercial..............................................................0 to +70
°C
Industrial .............................................................. -40 to +85
°C
Automotive........................................................... -40 to +85
°C
VDD
High Speed versions.............................................. 4.5 to 5.5 V
Low Voltage versions............................................. 2.7 to 5.5 V
*NOTICE:
Stressing the device beyond the “Absolute Maxi-
mum Ratings” may cause permanent damage.
These are stress ratings only. Operation beyond
the “operating conditions” is not recommended
and extended exposure beyond the “Operating
Conditions” may affect device reliability.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC18F86K90-I/PTRSL | MCU PIC 64K FLASH XLP 80TQFP |
| 201692-4 | CONN HOUSING PLUG 104POS BLACK |
| 202800-2 | CONN HOUSING RECEPT 160POS BLACK |
| TS80C51RD2-MIB | IC MCU 8BIT 768BYTE 40MHZ 44PLCC |
| TS87C51RB2-LIB | IC MCU 8BIT 16K OTP 30MHZ 44PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TSC873CT A3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TSC873CW RPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TSC888AILT | 功能描述:电流灵敏放大器 Sense Amplifier 20 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 输入补偿电压:80 uV 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流:350 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-16 封装:Reel |
| TSC888BILT | 功能描述:电流灵敏放大器 Sense Amplifier 50 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 输入补偿电压:80 uV 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流:350 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-16 封装:Reel |
| TSC888CILT | 功能描述:电流灵敏放大器 Sense Amplifier 100 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 输入补偿电压:80 uV 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流:350 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-16 封装:Reel |
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