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参数资料
| 型号： | TSH112ID |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | 运动控制电子 |
| 英文描述： | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| 中文描述： | 宽带，低噪声运算放大器 |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 424K |
| 代理商： | TSH112ID |
TSH110-TSH111-TSH112-TSH113-TSH114
3/19
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(pages 3 and 4)
Dual Supply Voltage, V
CC
=
±
2.5Volts, R*
fb
= 680
, T
amb
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
DC PERFORMANCE
V
io
Input Offset Voltage
T
amb
T
min.
< T
amb
< T
max.
-1.5
0.3
1
5
1.4
2.5
1.9
2.5
750
3.2
3.5
2.0
mV
mV
μ
V/°C
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
k
mA
mA
V
io
Input Offset Voltage Drift vs. Temperature T
min.
< T
amb
< T
max.
I
ib+
Non Inverting Input Bias Current
T
amb
T
min.
< T
amb
< T
max.
T
amb
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
=100
T
amb
T
min.
< T
amb
< T
max.
-10
13
I
ib-
Inverting Input Bias Current
-3
7
R
OL
Transimpedance
500
I
CC
Supply Current per Operator
4
CMR
Common Mode Rejection Ratio
(
Vic/
Vio)
Supply Voltage Rejection Ratio
(
VCC/
Vio)
Power Supply Rejection Ratio
(
VCC/
Vout)
DYNAMIC PERFORMANCE and OUTPUT CHARACTERISTICS
56
60
dB
SVR
70
80
dB
PSR
Gain=1, Rload=3.9k
48
dB
V
oh
High Level Output Voltage
T
amb
R
L
= 100
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
= 100
GND
T
amb
R
L
= 100
T
min.
< T
amb
< T
max.
R
L
= 100
T
min.
< T
amb
< T
max.
T
min.
< T
amb
< T
max.
Vout=1Vpk, Rfb*=820
//2pF
Load=100
A
VCL
=+2
A
VCL
=+2, 2V step
Load=100
1.4
2
V
1.9
V
V
ol
Low Level Output Voltage
-1.8
-1.3
V
-1.7
V
| I
sink
|
I
source
Output Sink current
Output Source current
20
18
mA
mA
BW
-3dB Bandwidth
81
MHz
SR
Slew Rate
160
230
V/
μ
s
Tr
Tf
Ov
St
G
φ
Rise Time
Fall Time
Overshoot
Settling Time @ 0.05%
Differential gain
Differential phase
for 200mV step
A
VCL
=+2, Rfb*=820
//2pF
Load=100
9
9
16
60
0.05
0.05
ns
ns
%
ns
%
°
A
VCL
=+2, R
L
=100
F=4.5MHz, V
out
=1Vpeak
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSH112IDT | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TSH112IPT | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TSH113 | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TSH113IDT | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
| TSH113IPT | WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TSH112IDT | 功能描述:高速运算放大器 Op Amp Widebnd Lo Noise RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TSH112IPT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Wideband Lo No RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TSH113 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Wide band low noise operational amplifiers |
| TSH-113-01-F-D | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SHRD HDR HDR 26 POS 2MM SLDR ST TH - Bulk |
| TSH-113-01-F-DH | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SHRD HDR HDR 26 POS 2MM SLDR RA SMD - Bulk |
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