参数资料
型号: TT61N10KOF-A
元件分类: 晶闸管
英文描述: 120 A, 1000 V, SCR
封装: MODULE-7
文件页数: 1/1页
文件大小: 67K
代理商: TT61N10KOF-A
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
TT61N12KOF 功能描述:分立半导体模块 1200V 61A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TT61N12KOFB2 功能描述:SCR模块 Module 1.2KV 1.55KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
TT61N12KOF-B3 功能描述:分立半导体模块 1200V 61A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
TT61N12KOF-IGT3 制造商:n/a 功能描述:Power Module
TT61N12KOF-K 功能描述:SCR PCT 1200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube