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参数资料
| 型号： | TT92N06KOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 160 A, 600 V, SCR |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | TT92N06KOF |
TT 92 N
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn[°C/W]
τn [s]
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
Σ
n=1
ZthJC =
Rthn (1-e )
t
- τn
iG
0,1
0,2
0,5
1
2
5
10
20
30
[V]
vG
5
10
20
50 100 200
500
1
2
5
10
20
50
mA
A
a
b
c
d
TT 92 N/13
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[s]
tgd
a
b
TT 92 N/14
0
[°C/W]
ZthJC
t [s]
10-3 2
4
6
10-2 2
4 6 10-1 2
4
6
100 2
4
6
180°
120°
90°
60°
θ
=
30°
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5 0
θ
0,6
DC
101
TT 92 N/16
0
[°C/W]
ZthJC
t [s]
10-3 2
4
6
10-2 2
4 6 10-1 2
4
6
100 2
4
6
180°
120°
90°
60°
θ
=
0
θ
30°
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
TT 92 N/15
101
0,005 0,0195 0,0518
0,128
0,146
0,00004 0,00223
0,022
0,235
1,24
Bild / Fig. 13
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, vG = f(iG), vD = 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration tg [ms] 10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
5
10
15
30
________________________________________________________
Bild / Fig. 16
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 15
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle θ
Bild / Fig. 14
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1s
a - uerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT92N08KOF | 160 A, 800 V, SCR |
| TTW3C80N08KOF | 75 A, 800 V, SCR |
| TTW3C95N08KOF | 90 A, 800 V, SCR |
| TDB6HK60N10KOF | 50 A, 1000 V, SCR |
| TDB6HK75N10KOF | 60 A, 1000 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TT92N08KOF-K | 功能描述:SCR模块 PCT 800V 92A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| TT92N10KOF | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| TT92N12KOF | 功能描述:分立半导体模块 1200V 160A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TT92N12KOFB4 | 功能描述:分立半导体模块 1200V 160A DUAL REVERSE CATHODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TT92N12KOF-K | 功能描述:SCR PCT 1200V 92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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