参数资料
型号: TV50C121J-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: TVS 5000W 120V UNIDIRECT 5% SMC
标准包装: 3,000
电压 - 反向隔离(标准值): 120V
电压 - 击穿: 133V
功率(瓦特): 5000W
电极标记: 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商设备封装: DO-214AB,(SMC)
包装: 带卷 (TR)
SMD Transient Voltage Suppressor
COMCHIP
SMD Diodes Specialist
Electrical Characteristics (TV50C110-G Thru. TV50C441-G)
Absolute Maximum Rating(Ta=25 O C)
Electrical Characteristic(Ta=25 O C)
Part No
V RWM
V BR Min
V BR Max
I T
I FSM
MAX
V C
I R @ V RWM
Marking Code
(V)
(V)
(V)
(mA)
(A)@8.3ms
(V)
IPP(A)
(uA)
UNI
BI
TV50C110K(B)-G
TV50C110J (B) -G
TV50C120K (B) -G
TV50C120J (B) -G
TV50C130K (B) -G
TV50C130J (B) -G
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TV50C170J (B) -G
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Rev. B
QW-BTV14
Page 3
相关PDF资料
PDF描述
TVP06B601CA-G TVS 600W 600V BIDIRECT SMC
TXA107K030P1G-F CAP TANT 100UF 30V 10% AXIAL
TZ-1GV22 SWITCH HI TEMP BASIC 1A 250 VAC
UB16NBKW01N-B SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V
UB215SKG036G-2B SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
相关代理商/技术参数
参数描述
TV50C130JB-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C130J-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C131JB-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 130V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C131J-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 130V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV50C140JB-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 14V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C