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参数资料
| 型号： | TZQ5234B |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | TZQ5234B |
TZQ5221B to TZQ5267B
Vishay Semiconductors
9612009
Document Number 85612
Rev. 1.8, 15-Sep-10
www.vishay.com
1
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Small Signal Zener Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Available with tighter tolerances
Very high stability
Low noise
VZ - tolerance ± 5 %
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Applications
Voltage stabilization
Mechanical Data
Case: QuadroMELF SOD-80
Weight: approx. 34 mg
Packaging codes/options:
GS18/10K per 13" reel 10K/box
GS08/2.5K per 7" reel 12.5K/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
RthJA ≤ 300 K/W
Ptot
500
mW
Z-current
IZ
Ptot/VZ
mA
Junction temperature
Tj
175
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65 to + 175
°C
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient air
On PC board 50 mm x 50 mm x 1.6 mm
RthJA
500
K/W
Parameter
Test condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
IF = 200 mA
VF
1.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TZQ5235B | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TZQ5252B-GS08 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| TZS4687 | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| TZS4700 | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| U2-016 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 7A, 28VDC, 1.27mm, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TZQ5234B-GS08 | 功能描述:稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZQ5234B-GS18 | 功能描述:稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZQ5235B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZQ5235B-GS08 | 功能描述:稳压二极管 6.8 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZQ5235B-GS18 | 功能描述:稳压二极管 6.8 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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