型号: | TZS4710GS08 |
厂商: | VISHAY TELEFUNKEN |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | SOD-80, QUADROMELF-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 138K |
代理商: | TZS4710GS08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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TZS4713 | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
TZX10C | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
TZX10 | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
TZX11A | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
TZX11C | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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TZS4710-GS08 | 功能描述:稳压二极管 25 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
TZS4711 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
TZS4711-GS08 | 功能描述:稳压二极管 27 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
TZS4712 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
TZS4712-GS08 | 功能描述:稳压二极管 28 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |