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参数资料
| 型号： | TZX3V6B |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | TZX3V6B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TZX4V3B | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| TZX4V7 | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| TZX5V6A | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| TZX5V6B | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| TZX5V6C | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TZX3V6B-TAP | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZX3V6B-TR | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZX3V6C | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE |
| TZX3V6C-TAP | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| TZX3V6C-TR | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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