参数资料
| 型号： | U1AFS600-FG256 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 118/334页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA FUSION SIL SCULP 256FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 114 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FPBGA（17x17） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页当前第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页第320页第321页第322页第323页第324页第325页第326页第327页第328页第329页第330页第331页第332页第333页第334页
Device Architecture
2-188
Revision 4
Table 2-115 2.5 V LVCMOS High Slew
Commercial Temperature Range Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Advanced I/Os
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
4 mA
Std.
0.66
8.66
0.04
1.31
0.43
7.83
8.66
2.68
2.30
10.07 10.90
ns
–1
0.56
7.37
0.04
1.11
0.36
6.66
7.37
2.28
1.96
8.56
9.27
ns
–2
0.49
6.47
0.03
0.98
0.32
5.85
6.47
2.00
1.72
7.52
8.14
ns
8 mA
Std.
0.66
5.17
0.04
1.31
0.43
5.04
5.17
3.05
3.00
7.27
7.40
ns
–1
0.56
4.39
0.04
1.11
0.36
4.28
4.39
2.59
2.55
6.19
6.30
ns
–2
0.49
3.86
0.03
0.98
0.32
3.76
3.86
2.28
2.24
5.43
5.53
ns
12 mA
Std.
0.66
3.56
0.04
1.31
0.43
3.63
3.43
3.30
3.44
5.86
5.67
ns
–1
0.56
3.03
0.04
1.11
0.36
3.08
2.92
2.81
2.92
4.99
4.82
ns
–2
0.49
2.66
0.03
0.98
0.32
2.71
2.56
2.47
2.57
4.38
4.23
ns
16 mA
Std.
0.66
3.35
0.04
1.31
0.43
3.41
3.06
3.36
3.55
5.65
5.30
ns
–1
0.56
2.85
0.04
1.11
0.36
2.90
2.60
2.86
3.02
4.81
4.51
ns
–2
0.49
2.50
0.03
0.98
0.32
2.55
2.29
2.51
2.65
4.22
3.96
ns
24 mA
Std.
0.66
3.56
0.04
1.31
0.43
3.63
3.43
3.30
3.44
5.86
5.67
ns
–1
0.56
3.03
0.04
1.11
0.36
3.08
2.92
2.81
2.92
4.99
4.82
ns
–2
0.49
2.66
0.03
0.98
0.32
2.71
2.56
2.47
2.57
4.38
4.23
ns
Note: For the derating values at specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 3-7 on
Table 2-116 2.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial Temperature Range Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V,
Worst-Case VCCI = 2.3 V
Applicable to Standard I/Os
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.66
11.00
0.04
1.29
0.43
10.37
11.00
2.03
1.83
ns
–1
0.56
9.35
0.04
1.10
0.36
8.83
9.35
1.73
1.56
ns
–2
0.49
8.21
0.03
0.96
0.32
7.75
8.21
1.52
1.37
ns
4 mA
Std.
0.66
11.00
0.04
1.29
0.43
10.37
11.00
2.03
1.83
ns
–1
0.56
9.35
0.04
1.10
0.36
8.83
9.35
1.73
1.56
ns
–2
0.49
8.21
0.03
0.96
0.32
7.75
8.21
1.52
1.37
ns
6 mA
Std.
0.66
7.50
0.04
1.29
0.43
7.36
7.50
2.39
2.46
ns
–1
0.56
6.38
0.04
1.10
0.36
6.26
6.38
2.03
2.10
ns
–2
0.49
5.60
0.03
0.96
0.32
5.49
5.60
1.78
1.84
ns
8 mA
Std.
0.66
7.50
0.04
1.29
0.43
7.36
7.50
2.39
2.46
ns
–1
0.56
6.38
0.04
1.10
0.36
6.26
6.38
2.03
2.10
ns
–2
0.49
5.60
0.03
0.96
0.32
5.49
5.60
1.78
1.84
ns
Note: For the derating values at specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 3-7 on
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP20K100EFC324-3N | IC APEX 20KE FPGA 100K 324-FBGA |
| EP20K100EFC324-3 | IC APEX 20KE FPGA 100K 324-FBGA |
| APA150-FG256I | IC FPGA PROASIC+ 150K 256-FBGA |
| APA150-FGG256I | IC FPGA PROASIC+ 150K 256-FBGA |
| AFS600-1FGG256 | IC FPGA 4MB FLASH 600K 256FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| U1AFS600-FG256I | 功能描述:IC FPGA FUSION SIL SCULP 256FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:Fusion® 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
| U1AFS600-FGG256 | 功能描述:IC FPGA FUSION SIL SCULP 256FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:Fusion® 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
| U1AFS600-FGG256I | 功能描述:IC FPGA FUSION SIL SCULP 256FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:Fusion® 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
| U1AFS600-FGG256X297 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA FUSION 600K GATES 130NM 1.5V 256FBGA - Trays |
| U1B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。