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参数资料
| 型号： | UB16DCT-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 145K |
| 描述： | DIODE 16A 200V 35NS DUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 80ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
New Product
U(B)16BCT thru U(B)16DCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89022
Revision: 13-May-08
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.9 1.0 1.1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 50 °C
TJ
= 75 °C
1000
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
1
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 125 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 75 °C
TJ
= 50 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
100
10
0.1 1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
10
1
0.1
0.001 10.01
0.1
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal
Imped
ance (
°C/
W
)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| UB-16H1KKS1Y | 制造商:Nihon Kaiheiki Ind Co Ltd 功能描述: |
| UB-16H1KKW01-5C | 制造商:NKK Switches 功能描述: |
| UB-16H1KKW01-5D | 制造商:NKK Switches 功能描述: |
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| UB16KKG015C-AB | 功能描述:按钮开关 SPDT ON-ON RED RoHS:否 制造商:C&K Components 触点形式:2 NC - 2 NO 开关功能:ON ? OFF 电流额定值:4 A 电压额定值 AC:12 V to 250 V 电压额定值 DC:12 V to 50 V 功率额定值: 安装风格:Through Hole 照明:Illuminated 照明颜色:None IP 等级:IP 40 端接类型:Solder 触点电镀:Silver 执行器:Square 盖颜色: 封装: 可燃性等级:UL 94 V-0 |
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