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参数资料
| 型号： | UB30CCT-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 137K |
| 描述： | DIODE 30A 150V 25NS DUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.05V @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 20µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
New Product
U(B)30BCT thru U(B)30DCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89015
Revision: 27-Aug-08
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
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927
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.9 1.0 1.1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 50 °C
TJ
= 75 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
1000
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
1
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 50 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 100 °C
TJ
= 75 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
100
10
0.1 1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
100
0.1
1
0.001 10.1
0.01
10
100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal
Imped
ance (
°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UB30DCT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier |
| UB30DCT-E3/4W | 功能描述:整流器 200 Volt 30 Amp 25ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UB30DCT-E3/8W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,200V,25NS,DUAL FER PLANAR |
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