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参数资料
| 型号： | UBA2032T/N2,118 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER FULL BRIDGE SO-24 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 电流 - 峰： | 130mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 4 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 550V |
| 电源电压： | 10.5 V ~ 13.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 935270516118 UBA2032TD-T UBA2032TD-T-ND |
Philips Semiconductors
Full bridge driver IC
Product speci?cation
UBA2032
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134); all voltages are measured with respect to
SGND; positive currents ?ow into the IC.
SYMBOL
V DD
V HV
V FSL
V FSR
V SHL
V SHR
V PGND
PARAMETER
supply voltage (low voltage)
supply voltage (high voltage)
?oating supply voltage left
?oating supply voltage right
source voltage for higher left
MOSFETs
source voltage for higher right
MOSFETs
power ground voltage
CONDITIONS
DC value
transient at t < 0.1 μ s
V SHL = V SHR = 550 V
V SHL = V SHR = 0 V
V SHL = V SHR = 550 V
V SHL = V SHR = 0 V
with respect to PGND and SGND
with respect to SGND; t < 1 μ s
with respect to PGND and SGND
with respect to SGND; t < 1 μ s
with respect to SGND
MIN.
0
0
0
0
0
0
0
? 3
? 14
? 3
? 14
0
MAX.
14
17
550
564
14
564
14
+550
?
+550
?
5
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
UNIT
V ? LVS
negative supply voltage for logic input t < 1 s
0
464
V
V +LVS
V i(EXTDR)
positive supply voltage for logic input
input voltage from external oscillator
V HV = 450 V; t < 1 s
V HV = 0 V; DC value
V HV = 0 V; transient at t < 0.1 μ s
with respect to V ? LVS
0
0
0
0
464
14
17
V +LVS
V
V
V
V
on pin EXTDR
V i(RC)
V i(SU)
V i(BD)
V i(DD)
SR
T j
T amb
T stg
V esd
input voltage on pin RC
input voltage on pin SU
input voltage on pin BD
input voltage on pin DD
slew rate at output pins
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
electrostatic discharge voltage on
pins HV, +LVS, ? LVS, EXTDR, FSL,
DC value
transient at t < 0.1 μ s
DC value
transient at t < 0.1 μ s
DC value
transient at t < 0.1 μ s
DC value
transient at t < 0.1 μ s
repetitive
note 1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
? 40
? 40
? 55
?
V DD
17
V DD
17
V DD
17
V DD
17
4
+150
+150
+150
900
V
V
V
V
V
V
V
V
V/ns
° C
° C
° C
V
GHL, SHL, SHR, GHR and FSR
Note
1. In accordance with the Human Body Model (HBM): equivalent to discharging a 100 pF capacitor through a 1.5 k ?
series resistor.
2005 Mar 24
8
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UBA2032TS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Full bridge driver IC |
| UBA2032TS/N2,118 | 功能描述:功率驱动器IC HID RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| UBA2032TS/N2/N,118 | 功能描述:功率驱动器IC Full Bridg Driver IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| UBA2032TS/N3,118 | 功能描述:功率驱动器IC LIGHTING HID DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| UBA2032TS/N3,518 | 功能描述:功率驱动器IC UBA2032TS/SSOP28/REEL13DP//N3 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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