参数资料
| 型号： | UESD12ST5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROTECT 12V SOD-723 |
| 产品变化通告： | Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008 Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 系列： | uESD |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.5V |
| 功率（瓦特）： | 128W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-723 |
| 供应商设备封装： | SOD-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
m ESD3.3ST5G SERIES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
I
Symbol
I PP
V C
V RWM
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I F
I R
V BR
I T
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
V C V BR V RWM
I R V F
I T
V
I F
V F
Forward Current
Forward Voltage @ I F
P pk
C
Peak Power Dissipation
Max. Capacitance @V R = 0 and f = 1 MHz
I PP
Uni-Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted, V F = 1.1 V Max. @ I F = 10 mA for all types)
Device
V RWM (V)
I R ( m A) @
V RWM
V BR (V) @ I T
(Note 2)
I T
V C (V)
@ Max I PP ?
I PP (A) ?
P pk
(W) ?
C (pF)
Device*
m ESD3.3ST5G
m ESD5.0ST5G
m ESD12ST5G
Marking
E0
E2
E3
Max
3.3
5.0
12
Max
2.5
1.0
1.0
Min
5.0
6.2
13.5
mA
1.0
1.0
1.0
Max
10.9
13.3
23.7
Max
10.4
8.8
5.4
Max
113
117
128
Typ
80
65
30
*Other voltages available upon request.
?Surge current waveform per Figure 1.
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
0
0
20
40
60
80
t, TIME ( m s)
Figure 1. 8 x 20 m s Pulse Waveform
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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| UESD5.0ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECTION RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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