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参数资料
| 型号： | UG30CPT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE 30A 150V 20NS DUAL TO3P-3 |
| 标准包装： | 750 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 15µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
UG30APT thru UG30DPT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88762
Revision: 05-Jun-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse Leakage
C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 25 °C
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
Junction Temperature (°C)
IF
= 15 A
VR
= 30
V
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
Reco
v
ered Store Change/Re
v
erse
Reco
v
ery Time (nC/ns)
0.1
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
PIN
1
PIN
3
CASE
PIN
2
TO-247AD (TO-3P)
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.142 (3.6)
0.138
(3.5)
0.170
(4.3)
0.086(2.18)
0.076 (1.93)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.127 (3.22)
0.117 (2.97)
0.048
(1.22)
0.044 (1.12)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
1
2
3
0.078
(1.9
8) REF.
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
10° TYP.
Both Sides
30°
10
1° REF.
Both Sides
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.118
(3.0)
0.108
(2.7)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEM15DRES | CONN EDGECARD 30POS .156 EYELET |
| UG30BPT-E3/45 | DIODE 30A 100V 20NS DUAL TO3P-3 |
| HSC08DRES-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| GBC25DRTI-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
| UG30APT-E3/45 | DIODE 30A 50V 20NS DUAL TO3P-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UG-30D/U | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| UG30DPT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier |
| UG30DPT-E3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 30 Amp 20ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UG30DPT-E3-45 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier |
| UG-30E/U | 制造商:EG&G 功能描述: 制造商:Kings Electronics 功能描述: |
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