参数资料
型号: UGB10FCT-E3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 143K
描述: DIODE 10A 300V 35NS DUAL UF
标准包装: 1,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 300V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 5A
电压 - (Vr)(最大): 300V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 管件
UG(F,B)10FCT & UG(F,B)10GCT, BYT28(F,B)-300 & BYT28(F,B)-400
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88552
Revision: 06-Nov-07
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage per diode (1)
IF
= 5 A,
IF
= 10 A
IF
= 5 A
TJ
= 25 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 150 °C
VF
1.30
1.40
1.05
V
Maximum reverse current per
diode at VRRM
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
10
200
μA
Maximum reverse recovery
time per diode
IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A t
rr
35 ns
Maximum reverse recovery
time per diode
IF
= 1.0 A, dI/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V,
Irr
= 0.1 I
RM
trr
50 ns
Maximum reverse recovery
current per diode
IF
= 5 A, dI/dt = 50 A/μs, V
R
= 30 V,
TC
= 100 °C
IRM
3.0 A
Maximum stored
charge per diode
IF
= 2 A, dI/dt = 20 A/μs, V
R
= 30 V,
Irr
= 0.1 I
RM
Qrr
50 nC
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL
BYT28
UG10
BYT28F
UGF10
BYT28B
UGB10
UNIT
Typical thermal resistance junction to case per diode RθJC
4.5 6.7 4.5 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB BYT28-400-E3/45 1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYT28F-400-E3/45 1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYT28B-400-E3/45 1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYT28B-400-E3/81 1.77 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB BYT28-400HE3/45
(1)
1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYT28F-400HE3/45
(1)
1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYT28B-400HE3/45
(1)
1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYT28B-400HE3/81
(1)
1.77 81 800/reel Tape and reel
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SBLB1040CTHE3/45 DIODE SCHOTTKY 40V 10A ITO-220AB
UGB10CCTHE3/45 DIODE 10A 150V 20NS DUAL UF
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参数描述
UGB10FCTHE3/45 功能描述:整流器 10 Amp 300 Volt 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10FCTHE3/81 功能描述:整流器 10 Amp 300 Volt 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10GCT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER
UGB10GCT/31 功能描述:整流器 10A 400V 35ns Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB10GCT/45 功能描述:整流器 400 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel