参数资料
型号: UGB18DCT-E3/81
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 673K
描述: DIODE 18A 200V 20NS DUAL UF
标准包装: 800
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 9A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 18A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 30ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 带卷 (TR)
UG18xCT, UGF18xCT, UGB18xCT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 06-Sep-13
4
Document Number: 88759
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.415 (10.54) MAX.
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
PIN
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
1
3
2
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
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0.171 (4.35)
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0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
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0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
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0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
TO-263AB
Mounting Pad Layout
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
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0.095 (2.41)
0.08 (2.032) MIN.
0.15 (3.81) MIN.
0.33 (8.38) MIN.
0.42 (10.66) MIN.
12K
0.591 (15.00)
K
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
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0 to 0.01 (0 to 0.254)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
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0.190 (4.83)
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0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
相关PDF资料
PDF描述
UGB18CCT-E3/81 DIODE 18A 150V 20NS DUAL UF
RBA14DRSN-S288 CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND
A7VWB-1506G CABLE D-SUB-AMU15B/AE15G/AFU15B
UGB18BCT-E3/81 DIODE 18A 100V 20NS DUAL UF
LM385M3-2.5/NOPB IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3
相关代理商/技术参数
参数描述
UGB18DCTHE3/45 功能描述:整流器 18 Amp 200 Volt 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB18DCTHE3/81 功能描述:整流器 18 Amp 200 Volt 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UGB-18GM50-255-2E1 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Ultrasonic
UGB-18GM50-255-2E3 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Ultrasonic
UGB1H010KHM 功能描述:铝质电解电容器 - 带引线 50volts 1uF 85c 10x20 5LS RoHS:否 制造商:Kemet 引线类型: 电容:220 uF 容差:20 % 电压额定值:25 V 工作温度范围: 端接类型:Radial 外壳直径:8 mm 外壳长度:11 mm 引线间隔:5 mm 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封装:Bulk