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参数资料
| 型号： | UGB8JCTHE3/81 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 642K |
| 描述： | DIODE 8A 600V 25NS DUAL TO263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.75V @ 4A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 4A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
UG8xCT, UGF8CT, UGB8xCT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 06-Sep-13
3
Document Number: 88766
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Max. Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Max. Non-Repeti
tive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Reverse Switching Characteristics Per Diode
0
0
12
10
6
8
2
4
25 50 75 100 125 150
Average Forward Rectified Current (A)
Case Temperature (°C)
UG8JCT, UGB8JCT
UGF8JCT
P.C.B. with 7.5 x 7.5 x 0.3 cm
Copper Pad
1 10010
0
20
40
60
80
100
Number of Cycles at 60 Hz
Peak Forward Surge Current (A)
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.01
0.1
10
100
1
Instantaneous Forward Current (A)
TJ
= 25 °C max.
Pulse Width = 300 μs
1 % Duty Cycle
0 10060
80
40
20
10
100
1000
10 000
1
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous Reverse Current (μA)
Reverse Voltage (V)
Junction Capacitance (pF)
1 10010
100
10
1
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mVp-p
0
120
140
100
60
80
20
40
25 50 75 100 125 150
Stored Charge/Reverse Recovery Time
(nC/ns)
Qrr
Trr
IF
= 4 A
VR
= 30 V
dI/dt =
240 A/μs
60 A/μs
50 A/μs
50 A/μs
60 A/μs
240 A/μs
Junction Temperature (°C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1S-2415/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 15VOUT |
| UGB8HCTHE3/81 | DIODE 8A 500V 25NS DUAL TO263AB |
| V20200G-E3/4W | DIODE 20A 200V SCHOTTKY TO220-3 |
| T95C106K025CZAS | CAP TANT 10UF 25V 10% 2812 |
| R1S-2412/H | CONV DC/DC 1W 24VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UGB8JT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER |
| UGB8JT/31 | 功能描述:整流器 8.0 Amp 600V 25ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGB8JT/45 | 功能描述:整流器 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGB8JT/81 | 功能描述:整流器 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGB8JT-E3/31 | 功能描述:整流器 8.0 Amp 600V 25ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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