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参数资料
| 型号： | UGF10DCT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE 10A 200V 20NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
BYQ28E(F,B)-100 thru BYQ28E(F,B)-200, UG(F,B)10BCT
Vishay General Semiconductor
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88549
Revision: 07-Jan-08
2
Note:
(1) Pulse test: 300 μs pulse
width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage
per diode (1)
IF
= 10 A
IF
= 5 A
IF
= 5 A
TJ
= 25 °C
TJ = 25 °C
TJ
= 150 °C
VF
1.25
1.10
0.895
V
Maximum reverse current per diode at
working peak reverse voltage
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
10
200
μA
Maximum reverse recovery time per diode IF
= 1.0 A, dI/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, I
rr
= 0.1 I
RM
t
rr
25 ns
Maximum reverse recovery time per diode IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A t
rr
20 ns
Maximum stored charge per diode IF
= 2 A, dI/dt = 20 A/μs, V
R
= 30 V, I
rr
= 0.1 I
RM
Q
rr
9nC
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL
UG10 UGF10 UGB10
UNIT
BYQ28E BYQ28EF BYQ28EB
Typical thermal resistance per diode, junction to ambient RθJA
50 55 50
°C/W
Typical thermal resistance per diode, junction to case RθJC
4.5 6.7 4.8
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB BYQ28E-200-E3/45 1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYQ28EF-200-E3/45 1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200-E3/45 1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200-E3/81 1.77 81 800/reel Tape reel
TO-220AB BYQ28E-200HE3/45
(1)
1.80 45 50/tube Tube
ITO-220AB BYQ28EF-200HE3/45
(1)
1.95 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200HE3/45
(1)
1.77 45 50/tube Tube
TO-263AB BYQ28EB-200HE3/81
(1)
1.77 81 800/reel Tape reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 346-048-541-802 | CARDEDGE 48POS DUAL .125 GREEN |
| UGF10BCT-E3/45 | DIODE 10A 100V 20NS DUAL TO220-3 |
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| 346-048-541-202 | CARDEDGE 48POS DUAL .125 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UGF10DCTHE3/45 | 功能描述:整流器 10 Amp 200 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF10F | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFACE EFFICIENT RECTIFIER |
| UGF10FCT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER |
| UGF10FCT-E3/45 | 功能描述:整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF10FCTHE3/45 | 功能描述:整流器 10 Amp 300 Volt 20ns Dual 60 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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