参数资料
型号: UGF15JTHE3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 125K
描述: DIODE 15A 600V 35NS SGL TO220-2
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 15A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.75V @ 15A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 30µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 绝缘,TO-220AC
供应商设备封装: ITO-220AC
包装: 管件
‘? I UG15xT, UGF15xT, UGB15xT7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELECTRICAL cHARAcTERIsTIcs (To = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
Max. instantaneous forward voltage
Max. DC reverse current at VHWM
'F=0-5A?'R=1-0A"rv=0-25AWWW
- VR : 30 V, I" : 0.1 IRM
. I :15A,dl/dt:24OA/ ,
Typical softness factor (tb/ta) \;R : 400 V |" : 0.1 IRM us
IF: 15 A, di/dt: 120 A/us,VH : 400 V, TC : 125 “C
Peak fonii/ard recovery time {;F::11§1’A;(c\‘/|':d’_:1:X1_ 20 A/H5’
Max. reverse recovery Current
PARAMETER
Typical thermal resistance from junction to Case
Note(U Pulse test: 300 us pulse Width, 1 % duty Cycle
Ns (Exam
PAcKAGEcoDE
To-22oAc mmmjg
-To-22oAc mwji
To-2ssAB mmmjg
To-263AB
To-22oAc miaji
-To-22oAc mwji
To-2ssAB EME1
TO-263AB UGB15JTHE3/81 W 800/reel Tape and reel
N ate(i) AEC-Q101 qumnied
Revision: 14-Aug-13 2 Document Number: 88828
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PDF描述
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UGF16085F 功能描述:射频放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
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