- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20590 > UGF18CCT-E3/45 (Vishay General Semiconductor)DIODE 18A 150V 20NS DUAL TO220-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | UGF18CCT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 673K |
| 描述： | DIODE 18A 150V 20NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 9A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 18A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
UG18xCT, UGF18xCT, UGB18xCT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 06-Sep-13
2
Document Number: 88759
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
Note
(1)
AEC-Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL UG18ACT UG18BCT UG18CCT UG18DCT UNIT
Max. instantaneous forward
voltage per diode (1)
9.0 A
20 A 1.2 TJ
= 100 °C V
F
1.1
V
5.0 A 0.95
Max. DC reverse current at
rated DC blocking voltage ?
per diode
TA
= 25 °C I
R
10
μA
TA
= 100 °C 300
Max. reverse recovery time ?
per diode
IF
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A t
rr
20 ns
Max. reverse recovery time ?
per diode
IF
= 9.0 A, V
R
= 30 V,
?
dI/dt = 50 A/μs,?
Irr
= 10 % I
RM
TJ
= 25 °C
= 100 °C 50
trr
30
ns
TJ
Max. stored charge per diode
IF
= 9.0 A, V
R = 30 V, ?
dI/dt = 50 A/μs,?
Irr
= 10 % I
RM
TJ
= 25 °C
= 100 °C 45
Qrr
20
nC
TJ
Typical junction capacitance
per diode
at 4.0 V, 1 MHz CJ
30 pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL UG18 UGF18 UGB18 UNIT
Typical thermal resistance from junction to case per diode R?JC
4.0 6.0 4.0 °C/W
ORDERING INFORMATION (EXAMPLE)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB UG18DCT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB UGF18DCT-E3/45 2.00 45 50/tube Tube
TO-263AB UGB18DCT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB UGB18DCT-E3/81 1.35
81 800/reel Tape and reel
TO-220AB UG18DCTHE3/45 (1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB UGF18DCTHE3/45 (1)
2.00 45 50/tube Tube
TO-263AB UGB18DCTHE3/45 (1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB UGB18DCTHE3/81 (1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UGF18BCT-E3/45 | DIODE 18A 100V 20NS DUAL TO220-3 |
| 346-044-526-804 | CARDEDGE 44POS DUAL .125 GREEN |
| ISL89162FRTAZ | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN |
| AIAP-01-681-K-T | INDUCTOR 680UH 10% 180MA |
| 346-044-526-802 | CARDEDGE 44POS DUAL .125 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UGF18CCTHE3/45 | 功能描述:整流器 150 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF18DCT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER |
| UGF18DCT-E3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF18DCTHE3/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 18 Amp 20ns Dual 175 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UGF1A | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:1.0A Sintered Glass Passivated Ultra Fast Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。