型号: | UMZ-198-D16 |
元件分类: | Voltage controlled oscillator |
英文描述: | VCO, 380 MHz - 450 MHz |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | UMZ-198-D16 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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UMZ-268-D16 | VCO, 1100 MHz - 1200 MHz |
UMZ-289-A16 | VCO, 2014 MHz - 2062 MHz |
UMZ-348-A16 | VCO, 2000 MHz - 2100 MHz |
UMZ-357-A16 | VCO, 2400 MHz - 2500 MHz |
UMZ-442-A16 | VCO, 658 MHz - 757 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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UMZ1N | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Bipolar Junction Transistor, Pair, Complementary, SOT-363 |
UMZ1NT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
UMZ1NT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Complimentary Dual General Purpose Transistors |
UMZ1NT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
UMZ1NTR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-363 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |