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参数资料
| 型号： | UMZU6.2NT106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER LOW CAP 200MW UMD3 |
| 产品目录绘图： | UMZ(C,U) Series Top UMZ(C,U) Series Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5.5V |
| 电压 - 击穿： | 5.9V |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | UMZU6.2NT106DKR |
UMZU6.2N
Diodes
ESD Protection diode
UMZU6.2N
Applications
External dimensions (Unit : mm)
Land size figure
ESD Protection
(common anode configuration)
Each lead has same dimension
Features
1) Small mold type. (UMD3)
2) High reliability
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Taping dimensions (Unit : mm)
Structure
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Pow er dissipation
P(
)
200
m W
Junction temperature
Storage temperature
Tj
Tstg
150
-55 to +150
Electrical characteristic (Ta=25 C) ( Rating of per diode)
Parameter
Symbol Min. Typ.
Max.
Unit
Conditions
Zener voltage
V Z
5.9 -
6.50
V
I Z =5mA
Reverse current
-
-
3.00
μ A
V R =5.5V
Operating resistance
Rising operating resistance
Z Z
Zzk
-
-
-
-
30
100
Iz=5mA
I Z =0.5mA
Capacitance between terminals
Ct
-
8
-
pF
f=1MHz VR=0V
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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