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参数资料
| 型号： | UNR1112(UN1112) |
| 英文描述： | 5 V supervisor with battery switchover |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗内蔵型トランジスタ |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | UNR1112(UN1112) |
2
UNR111x
SJH00001BJD
■
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
(E
)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
50
V
(B
)
V
(E
)
I
CBO
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
1.0
1.5
2.0
μ
A
μ
A
(B
)
I
CEO
I
EBO
UNR1111
mA
UNR1112/1114/111D/111E
UNR1113
(C
)
UNR1110/1115/1116/1117
UNR111F/111H
UNR1119
UNR1118/111L
UNR1111
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
35
UNR1112/111E
60
UNR1113/1114
80
160
UNR1110
*
/1115
*
/1116
*
/
1117
*
460
UNR1118/111L
20
UNR1119/111D/111F/111H
30
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
V
OH
4.9
V
V
OL
0.2
V
UNR1113
UNR111D
UNR111E
f
T
80
MHz
UNR1111/1114/1115
R
1
30%
10
+
30%
k
UNR1112/1117
22
UNR1110/1113/111D/111E
47
UNR1116/111F/111L
4.7
UNR1118
0.51
UNR1119
1
UNR111H
2.2
UNR1111/1112/1113/111L
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
UNR1114
0.17
0.21
0.25
UNR1118/1119
0.08
0.1
0.12
UNR111D
4.7
UNR111E
2.14
UNR111F
0.47
UNR111H
0.17
0.22
0.27
Q
R
S
h
FE
160
～
260
210
～
340
290
～
460
) 1.
JIS C 7030
2. * :
(UNR1110/1115/1116/1117)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1114 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR1113 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR1113(UN1113) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR1114 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR1114(UN1114) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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