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参数资料
| 型号： | UNR1210(UN1210) |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗内蔵型トランジスタ |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | UNR1210(UN1210) |
10
UNR121x
SJH00003BJD
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
UNR121D
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
UNR121E
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
12
2
10
4
8
6
0
30
25
20
15
10
5
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
6
5
4
3
2
1
1
10
100
V
CB
(V)
(
)
o
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
O
μ
A
V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
C
V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.6 mA
0.7 mA
00.9 mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
100
1
000
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR1211(UN1211) | POWER SCHOTTKY RECTIFIERS |
| UNR1212(UN1212) | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| UNR1213(UN1213) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR1219(UN1219) | HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR1211 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN, PNP epitaxial planar type (Tr1,2) |
| UNR1211(UN1211) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR1212 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR1212(UN1212) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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