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参数资料
| 型号： | UNR1212 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 454K |
| 代理商： | UNR1212 |
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2003 SEP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN1212 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1213 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1213 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR1214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN1214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR1212(UN1212) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR1213 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR1213(UN1213) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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