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参数资料
| 型号： | UNR4110(UN4110) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 13/15页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | UNR4110(UN4110) |
13
UNR41XX Series
SJH00018CED
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR411L
Characteristics charts of UNR411M
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–12
–2
–10
–4
–8
–6
240
200
160
120
80
40
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
0.01
0.03
1
3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1
000
C
C
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1
000
D
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
0.01
0.1
0.3
0.1
1
10
100
1
3
10
30
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
140
120
100
80
60
40
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.01
0.03
1
3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1
000
C
C
I
C
/ I
B
= 33.3
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
40
80
120
200
160
10
30
100
300
1
000
D
F
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR4111(UN4111) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR4116(UN4116) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4117(UN4117) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR4118(UN4118) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4122(UN4122) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR4111 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| UNR4111(UN4111) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR411100A | 功能描述:TRANS PNP W/RES 35HFE NS-B1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR4112 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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