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参数资料
| 型号： | UNR4214 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 540K |
| 代理商： | UNR4214 |
7
Transistors with built-in Resistor
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
Characteristics charts of UNR4217
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
1
0.4
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25
C
0
12
2
10
4
8
6
0
120
100
80
60
40
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=1.0.9mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.80.70.6mA
0.01
0.03
0.1
0.3
Collector current I
C
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
1
3
100
200
300
400
350
250
150
50
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
1
3
10
30
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
1
0.4
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=5V
Ta=25
C
0.01
0.03
0.1
0.3
Output current I
O
(mA)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
I
I
V
O
=0.2V
Ta=25
C
UNR4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN4214 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4215 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNR4216 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR4214(UN4214) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR421400A | 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE NS-B1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR4215 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR4215(UN4215) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
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