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参数资料
| 型号： | UNR5215R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 中文描述： | 晶体管| 50V五（巴西）总裁| 100mA的一（c）|的SC - 70 |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | UNR5215R |
3
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
s Electrical Characteristics (continued) (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
UNR5211/5212/5213/521L
0.8
1.0
1.2
UNR5214
0.17
0.21
0.25
UNR5218/5219
0.08
0.1
0.12
UNR521D
4.7
UNR521E
2.14
UNR521F/521T
R1/R2
0.47
UNR521K
2.13
UNR521M
0.047
UNR521N
0.1
UNR521V
1.0
UNR521Z
0.21
Resis-
tance
ratio
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR5215S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5216(UN5216) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR5216Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR521E(UN521E) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR521F(UN521F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR5215S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5216 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR5216(UN5216) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR521600L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
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