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参数资料
| 型号： | UNR521M(UN521M) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗内蔵型トランジスタ |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | UNR521M(UN521M) |
2
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50V, IE = 0
0.1
A
ICEO
VCE = 50V, IB = 0
0.5
A
UNR5211
0.5
UNR5212/5214/521E/521D/521M/521N/521T
0.2
UNR5213
0.1
UNR5215/5216/5217/5210
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
0.01
mA
UNR521F/521K
1.0
UNR5219
1.5
UNR5218/521L/521V
2.0
UNR521Z
0.4
Collector to base voltage
VCBO
IC = 10A, IE = 0
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 2mA, IB = 0
50
V
UNR5211
35
UNR5212/521E
60
UNR5213/5214/521M
80
UNR5215*/5216*/5217*/5210*
160
460
UNR521F/521D/5219
hFE
VCE = 10V, IC = 5mA
30
UNR5218/521K/521L
20
UNR521N/521T
80
400
UNR521V
6
20
UNR521Z
60
200
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10mA, IB = 0.3mA
0.25
V
UNR521V
IC = 10mA, IB = 1.5mA
0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1k
4.9
V
Output voltage low level
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1k
0.2
UNR5213/521K
VOL
VOC = 5V, VB = 3.5V, RL = 1k
0.2
V
UNR521D
VCC = 5V, VB = 10V, RL = 1k
0.2
UNR521E
VCC = 5V, VB = 6V, RL = 1k
0.2
Transition frequency
fT
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz
150
MHz
UNR5211/5214/5215/521K
10
UNR5212/5217/521T
22
UNR5213/521D/521E/5210
47
UNR5216/521F/521L/521N/521Z
R1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR5218
0.51
UNR5219
1
UNR521M/521V
2.2
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
* hFE rank classification (UNR5125/5216/5217/5210)
Rank
Q
R
S
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
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PDF描述 |
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