| 型号: | UNR6116 |
| 厂商: | PANASONIC CORP |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | MT1, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/14页 |
| 文件大小: | 364K |
| 代理商: | UNR6116 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UP0.4C-4R7 | 1 ELEMENT, 4.95 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-330 | 1 ELEMENT, 32.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-1R0 | 1 ELEMENT, 1.16 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-470 | 1 ELEMENT, 46.5 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| UP0.4C-6R8 | 1 ELEMENT, 6.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR723100L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR9110 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR9110G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR9110J | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9110J(UN9110J) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |