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参数资料
| 型号： | UNR611E(UN611E) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | UNR611E(UN611E) |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
(UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/6119/
6110/611D/611E/611F/611H/611L)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.
I Resistance by Part Number
(R1)(R2)
G
UNR6111
10k
10k
G
UNR6112
22k
22k
G
UNR6113
47k
47k
G
UNR6114
10k
47k
G UNR6115
10k
—
G UNR6116
4.7k
—
G UNR6117
22k
—
G UNR6118
0.51k
5.1k
G UNR6119
1k
10k
G UNR6110
47k
—
G UNR611D
47k
10k
G UNR611E
47k
22k
G UNR611F
4.7k
10k
G UNR611H
2.2k
10k
G UNR611L
4.7k
4.7k
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
400
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
MT-1 Type Package
6.9
±0.1
1.05
±0.05
2.5
±0.1
3.5
±
0.1
14.5
±
0.5
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0.15
0.85
0.8
1.0
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
2.5
±0.5 2.5±0.5
2.5
±
0.1
123
B
C
R1
R2
E
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR611F | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR611F(UN611F) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR611H | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR611H(UN611H) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR611L | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR723100L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR9110 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR9110G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR9110J | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9110J(UN9110J) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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