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参数资料
| 型号： | UNR911H |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶体管| 50V五（巴西）总裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | UNR911H |
UNR91XXJ Series
15
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911LJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR911MJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
VIN IO
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB =
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
1
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10 30 100 300 1000
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
240
200
160
120
80
40
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
0.1 0.3
0.1
1
10
100
1
3
10 30 100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.001
0.003
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10 30 100 300 1000
IC / IB = 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
100
200
300
500
400
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
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