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参数资料
| 型号： | UP04401 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F1, 6 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | UP04401 |
1
Publication date: December 2003
SJJ00231BED
Composite Transistors
UP04401
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Each transistor is separated)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SB0709A
×
2
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: 5K
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
60
50
7
100
200
V
V
V
Collector current
mA
Peak collector current
mA
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
50
7
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
Forward current transfer ratio
h
FE
180
390
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.3
0.5
V
Transition frequency
f
T
C
ob
80
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
2.7
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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