参数资料
型号: UPA2200T1M-T1-AT
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V VSOF-SLIM
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 10V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WSOF
供应商设备封装: 8-VSOF
包装: 带卷 (TR)
μ PA2200T1M
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I D(pulse)
it e
Li
V
1 i 0
n)
S(
=
G
1 i 0
t io
1 i
1 i 0
s
s
Li
it e
s
100
80
60
40
10
1
0.1
R
D
I D(DC)
m
o
S
(V
d
)
Po
w
er
D
is
si
5 i s
pa
0
m
n
i
m
m
i
m
d
i
20
0
0.01
Single Pulse
Mounted on glass epoxy board of
25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T A - Ambient Temperature - ° C
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 113.6 ° C/W i
100
10
1
Single Pulse
Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
40
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V GS = 10 V
100
10
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
30
20
4.5 V
1
0.1
T ch = ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
0.01
10
Pulsed
0.001
V DS = 10 V
Pulsed
0
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
0
1
2
3
4
V DS - Drain to Source Voltage - V
Data Sheet G19445EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
3
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