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参数资料
| 型号： | UPA2510 |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| 中文描述： | P沟道MOS场效应晶体管开关 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | UPA2510 |
Data Sheet G16683EJ1V0DS
4
μ
PA2510
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
-20
-40
-60
-80
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
Pulsed
V
GS
=
10.0 V
4.5 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
V
DS
=
10.0 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
-0.8
-1
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
-50
0
50
100
150
V
DS
=
10.0 V
I
D
=
1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
=
10.0 V
Pulsed
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
20
25
-0.1
-1
-10
-100
Pulsed
V
GS
=
4.5 V
10.0 V
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
5
10
15
20
25
0
-5
-10
-15
-20
I
D
=
9.0 A
Pulsed
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
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PDF描述 |
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