- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录528 > UPA2716AGR-E1-AT (Renesas Electronics America)MOSFET LV 8SOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPA2716AGR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET LV 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 7A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UPA2716AGR-E1-ATDKR |
μ PA2716AGR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
I D = ? 7 A
Pulsed
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
15
10
V GS = ? 4 V
? 4.5 V
? 10 V
1000
C oss
C rss
100
5
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0
10
-50
0
50
100
150
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
10000
1000
t d(off)
-30
V DD = ? 24 V
I D = ? 14 A
-15
100
t f
-20
? 15 V
? 6 V
-10
t r
-10
-5
10
1
t d(on)
V DD = ? 15 V
V GS = ? 10 V
R G = 10 Ω
0
V DS
V GS
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
100
10
Pulsed
V GS = ? 10 V
0V
1000
100
1
0.1
0.01
10
V GS = 0 V
di/dt = 50 A/ μ s
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G19278EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2719AGR-E1-AT | MOSFET LV 8SOP |
| UPA2731UT1A-E1-AY | MOSFET P-CH 30V 8-HVSON |
| UPA2732UT1A-E1-AY | MOSFET LV 8HVSON |
| UPA2755AGR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2716AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2716GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2717GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2718GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719AGR-E1-AT | 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。