参数资料
型号: UPA2756GR-E2-AT
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
标准包装: 2,500
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 260pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 带卷 (TR)
μ PA2756GR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
TEST CONDITIONS
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V GS = ± 18 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 2.0 A
MIN.
1.5
2.0
TYP.
2.0
MAX.
10
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, I D = 2.0 A
V GS = 4.0 V, I D = 2.0 A
V DS = 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 30 V, I D = 2.0 A
V GS = 10 V
R G = 10 ?
85
106
260
65
20
14
5
80
105
150
m ?
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
30
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = 48 V
V GS = 10 V
I D = 4.0 A
6
1
1.5
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 4.0 A, V GS = 0 V
I F = 4.0 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.9
24
22
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = 20 → 0 V
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
V DS
10%
V GS
90%
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet G17407EJ1V0DS
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