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参数资料
| 型号： | UPA2790GR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2790GR
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
-25
-20
-15
V GS = ? 10 V
? 4.5 V
-100
-10
-10
? 4.0 V
-1
T A = ? 55°C
25°C
-5
Pulsed
-0.1
75°C
150°C
V DS = ? 10 V
Pulsed
0
-0.01
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
-1
-2
-3
-4
-5
-3
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T A = ? 55°C
25°C
-2
10
75°C
150°C
-1
0
V DS = ? 10 V
I D = 1 mA
1
0.1
V DS = ? 10 V
Pulsed
-50
0
50
100
150
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
300
250
200
150
100
50
0
Pulsed
V GS = ? 4.0 V
? 4.5 V
? 10 V
300
250
200
150
100
50
0
I D = ? 3 A
Pulsed
-0.1
-1
-10
-100
0
-5
-10
-15
-20
I D - Drain Current - A
Data Sheet G16954EJ3V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
9
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