型号: | UPA2791GR |
厂商: | NEC Corp. |
英文描述: | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET |
中文描述: | MOS场效应晶体管的开关N沟道和P沟道功率场效应晶体管 |
文件页数: | 6/12页 |
文件大小: | 245K |
代理商: | UPA2791GR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
UPA2791GR-E1-AT | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET |
UPA2791GR-E2-AT | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET |
UPA505T | N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS |
UPA621TT | |
UPA801TC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
UPA2791GR-E1-AT | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
UPA2791GR-E2-AT | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
UPA2792AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:COMPLEMENTARY MOSFET 30V, NCH/PCH 8PIN SOP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET ARRAY 30V 10A 8SOP |
UPA2794GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
UPA2794GR-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |