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参数资料
| 型号： | UPA672T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 10mA，4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA672T
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
300
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free air
100
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
250
80
4.0 V
3.0 V
3.5 V
200
60
To
150
100
Pe
ro
ne
un
it
ta
l
40
2.5 V
50
20
V GS = 2.0 V
0
25
50 75
100 125
150
0
1
2 3 4
5
T A - Ambient Temperature - ?C
TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
V DS = 3 V
100
V DS = 3 V
10
50
T A = –25 ?C
25 ?C
1
T A = 75 ?C
0.1
0.01
25 ?C
–25 ?C
20
125 ?C
0.001
0
0
1 2 3
1
2
5 10 20
50
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
100
V GS = 2.5 V
100
V GS = 4 V
50
50
T A = 75 ?C
20
10
5
2
1
25 ?C
–25 ?C
20
10
5
2
1
T A = 75 ?C
25 ?C
–25 ?C
1
2
5 10 20
50
100
1
2
5 10 20
50
100
I D - Drain Current - mA
I D - Drain Current - mA
3
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PDF描述 |
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